HỆ THỐNG BÀI TẬP CỦNG CỐ

Dạng 1: Câu hỏi lý thuyết

Câu 1: Tại sao vùng nghèo lại có điện trở rất lớn so với các vùng bán dẫn P và N còn lại?

Câu 2: Vẽ đặc tuyến V-A của Diode Silic và chú thích các vùng: Phân cực thuận, Phân cực ngược, Vùng đánh thủng.

Câu 3: Hiện tượng tụ điện ký sinh ($C_j$) ở vùng tiếp xúc gây ra tác hại gì khi Diode làm việc ở tần số cao (ví dụ trong mạch xung)?

Dạng 2: Bài tập tính toán & Ứng dụng

Câu 4: Một Diode Silic có $V_F = 0.7V$. Mắc nối tiếp Diode này với một điện trở $R = 1k\Omega$ vào nguồn DC $10V$.

• a) Vẽ sơ đồ mạch điện phân cực thuận cho Diode.

• b) Tính dòng điện chạy trong mạch.

• c) Nếu đảo ngược cực của Diode, dòng điện trong mạch lúc này bằng bao nhiêu?

Câu 5: Tra cứu Datasheet của Diode 1N4007 và cho biết:

• Dòng điện thuận cực đại ($I_F$) là bao nhiêu?

• Điện áp ngược cực đại ($V_{RRM}$) là bao nhiêu?

• Tại sao không thể dùng 1N4007 trong các mạch chỉnh lưu tần số cao (hàng trăm kHz)?

Dạng 3: Trắc nghiệm nhanh

1. Ở trạng thái cân bằng động của tiếp xúc P-N:

   A. Không có hạt dẫn nào di chuyển.

   B. Dòng khuếch tán bằng dòng trôi.

   C. Chỉ có dòng electron di chuyển.

2. Khi phân cực ngược tiếp xúc P-N, bề rộng vùng nghèo sẽ:

   A. Tăng lên.

   B. Giảm đi.

   C. Không đổi.

3. Điện áp ngưỡng (Sụt áp thuận) của Diode Silic khoảng:

   A. 0.3V.

   B. 0.7V.

   C. 1.2V.