
Hệ thống quản trị đào tạo trực tuyến
Độ linh động ($\mu$): Là đại lượng đặc trưng cho khả năng di chuyển của hạt dẫn (electron hoặc lỗ trống) dưới tác dụng của điện trường.
Công thức: $v = \mu E$ (Trong đó $v$ là vận tốc trôi, $E$ là cường độ điện trường).
Đơn vị: $cm^2/V.s$.
Lưu ý: Độ linh động của electron ($\mu_n$) luôn lớn hơn độ linh động của lỗ trống ($\mu_p$) (thường gấp 2-3 lần).
Độ dẫn điện ($\sigma$) và Điện trở suất ($\rho$):
Công thức tổng quát: $\sigma = q(n\mu_n + p\mu_p)$.
Điện trở suất: $\rho = \frac{1}{\sigma}$.
Trong đó: $q$ là điện tích nguyên tố, $n$ và $p$ là mật độ electron và lỗ trống.
Hiện tượng: Khi đặt một thanh bán dẫn có dòng điện $I$ chạy qua vào trong một từ trường đều $B$ vuông góc với chiều dòng điện, sẽ xuất hiện một hiệu điện thế $V_H$ (điện áp Hall) sinh ra trên hai mặt đối diện của thanh bán dẫn.
Ý nghĩa thực tiễn:
Xác định loại bán dẫn: Dựa vào cực tính của $V_H$ để biết đó là bán dẫn loại P hay loại N.
Xác định mật độ hạt dẫn ($n$ hoặc $p$).
Ứng dụng: Làm cảm biến Hall (đo từ trường, cảm biến tốc độ bánh xe, cảm biến vị trí).
Định nghĩa: Là khoảng thời gian trung bình từ khi một cặp electron-lỗ trống được sinh ra cho đến khi chúng tái hợp và mất đi.
Tầm quan trọng: Quyết định tần số làm việc của linh kiện. Thời gian sống càng ngắn, linh kiện đóng cắt (Switching) càng nhanh.
Cơ chế: Là dòng chuyển động có hướng của các hạt dẫn dưới tác động của điện trường (do nguồn điện ngoài cung cấp).
Đây là loại dòng điện chính chạy trong các vật dẫn điện thông thường khi ta cấp áp.
Cơ chế: Là dòng chuyển động của các hạt dẫn từ vùng có nồng độ cao sang vùng có nồng độ thấp. Hiện tượng này xảy ra ngay cả khi không có điện trường.
Mật độ dòng khuếch tán: Tỉ lệ thuận với độ dốc nồng độ (gradient nồng độ).
Đây là cơ chế cực kỳ quan trọng để hình thành dòng điện trong lớp tiếp giáp P-N (Diode).